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名称 PECVD 氮化硅膜淀积工艺研究及其在H+ : ISFET 上应用的探讨 : ISFET shang ying yong de tan tao [硕士论文]
索引号 O/M1989/2
分类号 O/M1989
O(数理科学和化学)
作者 李京娜 半导体表界面物理及CAO基础、刘涛 敎授、
出版社 广州 : 暨南大学, 1990
ISBN
页数 27页 ; 29cm
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简介
注解 凝聚态物理:半导体表界面物理及CAO基础;暨南大学;1990-00-00 理学硕士 学位论文(硕士)