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名称 先进半导体材料及器件的辐射效应
索引号 TN3/20091
分类号 TN3
TN3(半导体技术)
TN(无线电电子学、电信技术)
T(工业技术)
作者 克拉艾、西蒙恩、刘忠立、
出版社 北京 : 国防工业出版社, 2008
ISBN 978-7-118-05408-8
页数 428页 : 图 ; 20cm
价格 精装
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简介
注解 责任者Claeys规范汉译姓: 克拉艾 Ь责任者Simoen规范汉译姓:西蒙恩. 有书目 (第362-427页) 本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上,介绍IV族半导体材料、Gaas材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤,接着介绍基于Gaas辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件,最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。 空间技术及高能物理研究和应用,以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域科技人员,相关领域研究及大学生
书籍简介

《先进半导体材料及器件的辐射效应》在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上,介绍IV族半导体材料、GaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤,接着介绍了基于GaAs材料辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件,最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。
《先进半导体材料及器件的辐射效应》特别强调辐射效应的基本物理,介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的最新进展,对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。
《先进半导体材料及器件的辐射效应》适合于从事空间技术及高能物理研究和应用,以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域的广大科技人员阅读,也可以作为相关领域研究生及大学生的教学参考书。