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名称 | 微纳米MOS器件可靠性与失效机理 |
| 索引号 | TN4/20086 | |
| 分类号 | TN4 TN4(微电子学、集成电路(IC)) TN(无线电电子学、电信技术) T(工业技术) |
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| 作者 | 郝跃、刘红侠、 | |
| 出版社 | 北京 : 科学出版社, 2008 | |
| ISBN | 978-7-03-020586-5 | |
| 页数 | 446页 : 图 ; 24cm | |
| 价格 | 精装 | |
| 标签 | ic、专业、业务、 | |
| 简介 | ||
| 注解 | 国家科学技术学术著作出版基金资助出版 有书目 | |
书籍简介
《微纳米MOS器件可靠性与失效机理》主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论,目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系,阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。全书论述了超大规模集成电路的可靠性研究现状,提出超大规模集成电路面临的主要可靠性问题;描述了微纳米MOS器件的主要失效机理和可靠性问题,以及上述各种失效机制的可靠性加固方法等,也是作者十余年在该领域从事的科学研究和国内外相关研究的部分总结。











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