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名称 | 宽禁带半导体电力电子器件及其应用 |
| 索引号 | TN303/20093 | |
| 分类号 | TN303 TN303(结构、器件) TN30(一般性问题) TN3(半导体技术) TN(无线电电子学、电信技术) T(工业技术) |
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| 作者 | 陈治明、李守智、 | |
| 出版社 | 北京 : 机械工业出版社, 2009 | |
| ISBN | 978-7-111-25165-1 | |
| 页数 | 280页 : 图 ; 24cm | |
| 价格 | CNY36.00 | |
| 标签 | ||
| 简介 | ||
| 注解 | 有书目 | |
书籍简介
《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用,概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括:半导体物理基础,电力电子器件的基本原理、特性及典型器件,电力电子器件的材料优选,碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块,以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。











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