大拱桥--暨南大学学生门户 » 图书馆 » | 08 环境公报 » 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
名称 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
索引号
分类号
(| 08 环境公报)
作者 (美) 坤杜 著、王志华 译、
出版社 北京 : 科学出版社, 2014.04
ISBN 978-7-03-040034-5
页数 262页 ; 26cm
价格 CNY58.00
标签
简介
注解 本书的内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势，半导体制造技术，光刻技术，工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模，面向可制造性的物理设计技术，测量、制造缺陷和缺陷提取，缺陷影响的建模和合格率提高技术，物理设计和可靠性，DFM工具和DFM方法。 微电子学、集成电路设计、电路与系统、精密仪器、医疗、汽车电子等专业技术人员、科研和研发人员，高校师生