本书介绍了超大规模集成电路模拟中小尺寸MOS器件模型及模型参数的提取，书中从基本半导体器件物理和pn结理论入手，顺序介绍了MOS电容理论，不同的MOSFET模型（直流模型、动态模型、热载流子效应模型等），以及工业上通用的标准电路模拟软件——伯克利SPICE中采用的二极管模型和MOSFET模型，同时还讨论了数据测量、模型参数提取，以及由工艺引起的模型参数统计变化。
本书可供从事MOSFET器件模型、模拟和ICCAD研究的科技工作者，以及大学微电子专业的教师及高年级学生阅读参考。