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名称 | 氧化铝衬底上金刚石的厚膜生长及其微电子学应用研究 |
| 索引号 | TB34/20072 | |
| 分类号 | TB34 TB34(功能材料) TB3(工程材料学) TB(一般工业技术-工业技术) T(工业技术) |
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| 作者 | 方志军、夏义本、 | |
| 出版社 | 上海 : 上海大学出版社, [2006] | |
| ISBN | 7-81058-898-2 | |
| 页数 | 126页 : 图 ; 21cm | |
| 价格 | CNY260.00 | |
| 标签 | 上海大学生兼职、 | |
| 简介 | ||
| 注解 | 专业: 材料学 有书目 (第118-125页) 学位论文 (博士)--上海大学, 2003 本书分别采用MPCVD、HFCVD方法在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石膜。在沉积金刚石膜之前,首次使用对氧化铝衬底进行碳离子注入的方法,以缓解薄膜与衬底间的应力。通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、显微压痕及扫描电子显微镜(SEM)等手段,对离子注入层中碳元素的分布及残余应力随注入条件的变化进行了研究。 | |
书籍简介
2003年上海大学博士学位论文(共26册),ISBN:9787810588980,作者:上海大学研究生部











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