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名称 | IGBT场效应半导体功率器件导论 |
| 索引号 | TN386.2/20081 | |
| 分类号 | TN386.2 TN386.2(绝缘栅场效应器件) TN386(场效应器件) TN3(半导体技术) TN(无线电电子学、电信技术) T(工业技术) |
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| 作者 | 袁寿财、 | |
| 出版社 | 北京 : 科学出版社, 2008 | |
| ISBN | 978-7-03-020041-9 | |
| 页数 | 209页 : 图 ; 24cm | |
| 价格 | CNY38.00 | |
| 标签 | ||
| 简介 | ||
| 注解 | 赣南师范学院学术著作出版基金资助项目 有书目 | |
书籍简介
《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识。内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等。重点讨论IGBT,同时对其它器件如IGCT、CoolMOS、IGCT等也作了简单介绍。书中注意强调基础理论的阐述,并适当吸收该领域近期的研究报道,各章后都附有相关参考文献,在书的最后还附有主要参考书目和贯穿全书统一使用的符号表。











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