大拱桥--暨南大学学生门户 » 图书馆 » 晶体管：按作用分 » 功率晶体管原理
名称 功率晶体管原理
索引号 TN323/20091
分类号 TN323
TN323(晶体管：按作用分)
TN32(半导体三极（晶体管）)
TN3(半导体技术)
TN(无线电电子学、电信技术)
T(工业技术)
作者 万积庆、唐元洪、
出版社 长沙 : 湖南大学出版社, 2009
ISBN 978-7-81113-491-9
页数 273页 : 图 ; 26cm
价格 CNY43.00
标签 中国技术、半导体、
简介
注解 有书目 本书首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二级管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。
书籍简介

《功率晶体管原理》首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。《功率晶体管原理》可以作微电子技术与微电子学、电子科学与电子技术、电力电子技术专业本科生教材或教学参考书。