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名称 | 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用 |
| 索引号 | TN304.2/20101 | |
| 分类号 | TN304.2 TN304.2(化合物半导体) TN304(材料) TN30(一般性问题) TN3(半导体技术) TN(无线电电子学、电信技术) T(工业技术) |
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| 作者 | 叶志镇、吕建国、张银珠、 | |
| 出版社 | 杭州 : 浙江大学出版社, 2009 | |
| ISBN | 978-7-308-06624-2 | |
| 页数 | 190页 : 图 ; 24cm | |
| 价格 | CNY25.00 | |
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| 简介 | ||
| 注解 | 题名页题: 叶志镇, 吕建国, 张银珠, 何海平等著 有书目 ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料, 具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷( 如空位氧Vo和间隙锌Zni), 对受主产生高度自补偿作用, 天然为n型半导体, 难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术, 也一直是ZnO研究中的主要课题, 目前已取得重大进展, 本书对此进行了详细阐述。 本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考 | |
书籍简介
本书介绍了氧化锌(ZnO)的掺杂技术、性能及其应用。全书共分七章,第一章概述了ZnO的结构、基本性质与制备方法,第二章介绍了ZnO的本征缺陷和非故意掺杂,第三至第六章分别介绍了ZnO的n型掺杂、p型掺杂、合金掺杂、稀磁掺杂等各种掺杂技术及其应用,第七章阐述了ZnO导体器件的相关研究。 本书在内容上宽度和深度相结合,系统介绍了ZnO的基本知识,同时对ZnO 研究的热点领域进行了详细而深入的探讨。本书理论和实践相结合,以作者多年的研究成果为基础,重点介绍了ZnO半导体薄膜材料的掺杂技术、物理基础及其应用,对ZnO纳米材料的相关内容也有所涉及,叙述了ZnO研究和开发应用领域的新概念、新进展、新成果和新技术。 本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考,也可作为高等院校材料、物理、化学、电子等相关专业师生的参考书籍。











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