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名称 纳米数字集成电路老化效应 : 分析、预测及优化
索引号 TN431.2/20122
分类号 TN431.2
TN431.2(数字集成电路、逻辑集成电路)
TN431(双极型)
TN43(半导体集成电路（固体电路）)
TN4(微电子学、集成电路（IC）)
TN(无线电电子学、电信技术)
T(工业技术)
作者 靳松、韩银和、
出版社 北京 : 清华大学出版社, 2012
ISBN 978-7-302-28543-4
页数 108页 : 图 ; 23cm
价格 CNY21.00
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简介
注解 有书目 (第100-108页) 本书的主要内容涉及一种公认的纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应 —— 负偏置温度不稳定性 (NBTI) 。介绍了NBTI效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响。
书籍简介

《纳米数字集成电路老化效应:分析、预测及优化》的主要内容涉及一种公认的纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应——负偏置温度不稳定性（NBTI）。汇集了两位作者在数字集成电路可靠性设计方面的部分研究212作，全面论述了NBTI效应的建模、分析预测和优化方法。根据NBTI效应产生的物理机制，从硅前分析、硅后在线预测及优化3个方面介绍了作者在这一领域所取得的自主创新的成果和结论。