大拱桥--暨南大学学生门户 » 图书馆 » 掺杂(分类号：TN305.3)(共8本)

分类依据：离子注入技术入此。

二氧化钛半导体光催化材料离子掺杂

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索取号：TN305.3/20071
作者：陈建华、龚竹青、
出版社：北京 : 科学出版社, 2006

Heavily doped semiconductors

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索取号：TN305.3/E701
作者：Fistul§、 V. I. (Viktor Il§ich)、 1927-、
出版社：New York : Plenum Press, 1969.

Ion implantation of semiconductors

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索取号：TN305.3/E801
作者：Carter、 G. (George)、 1934-、Grant、 W. A. (William Alexander)、 1941-、
出版社：London : E. Arnold, 1976.

Ion implantation

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索取号：TN305.3/E803
作者：
出版社：London Amsterdam, North-Holland Pub. Co.; New York, American Elsevier, 1973.

Ion implantation, sputtering and their applications

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索取号：TN305.3/E802
作者：Townsend、 P. D. (Peter David)、Kelly、 J. C. (John Clive)、 joint author.、Hartley、 N. E. W.、 joint author.、
出版社：London ; New York : Academic Press, 1976.

Impurity doping processes in silicon

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索取号：TN305.3/E901
作者：
出版社：Amsterdam ; New York : North-Holland Pub. Co. ; New York, N.Y. : Sole distributors for the USA and Canada, Elsevier North-Holland, 1981.

Ion implantation in semiconductors : science and technology : [proceedings of the fourth International Conference on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials, held at the Osaka Chamber of Commerce and Industry, August 1974]

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索取号：TN305.3-53/E801/4
作者：International Conference on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials (4th : 1974 : Osaka)、Namba、 Susumu、 1928-、
出版社：New York : Plenum Press, [1975]

Ion Implantation in semiconductors, 1976

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索取号：TN305.3-53/E801/5
作者：International Conference on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials (5th : 1976 : Boulder、 Colo.)、Chernow、 Fred.、Borders、 James A.、Brice、 David K.、
出版社：New York : Plenum Press, c1977.