大拱桥--暨南大学学生门户 » 图书馆 » 一般性问题(分类号：TN30)(共236本)

真空镀膜技术

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索取号：TN305.8/20101
作者：张以忱、
出版社：北京 : 冶金工业出版社, 2009

氧化锌半导体材料掺杂技术与应用

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索取号：TN304.2/20101
作者：叶志镇、吕建国、张银珠、
出版社：杭州 : 浙江大学出版社, 2009

Introduction to semiconductor devices : diodes, bipolar transistors, JFETs, IGFETs, SCRs and integrated circuits

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索取号：TN303/E806
作者：Bailey、 Frederick James.、
出版社：London : Allen and Unwin, 1972.

Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的特性

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索取号：TN304/20101
作者：安达隆史、季振国、
出版社：北京 : 科学出版社, 2009

低维半导体复合结构的光学性质

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索取号：TN303/20101
作者：金华、
出版社：长春 : 吉林大学出版社, 2009

日本の半導体開発 : 超LSIへの道を拓いた男たち

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索取号：TN304/J901
作者：中川靖造、
出版社：東京 : 講談社, 1985.11

化合物半導体デバイス

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索取号：TN304.2/J901
作者：日本産業技術振興協会、
出版社：東京 : 工業調査会(発売), 1973.9

高分子半導体

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索取号：TN304.5/J901
作者：三川礼、艸林成和、
出版社：東京 : 講談社, 1977.10

Amorphous and polycrystalline thin-film silicon science and technology--2009 : symposium held April 14-17, 2009, San Francisco, California, U.S.A.

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索取号：TN304.8-532/E20101
作者：
出版社：Warrendale, Pa. : Materials Research Society, c2009.

硅材料检测技术

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索取号：TN304.1/20101
作者：康伟超、王丽、
出版社：北京 : 化学工业出版社, 2009

化合物半导体器件

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索取号：TN304.2/20091
作者：吕红亮、张玉明、张义门、
出版社：北京 : 电子工业出版社, 2009

纳米氧化锌制备原理与技术

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索取号：TN304.2/20092
作者：马正先、姜玉芝、韩跃新、张士成、
出版社：北京 : 中国轻工业出版社, 2009

半导体器件完全指南

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索取号：TN303-62/20091
作者：伍国珏、李秋俊、
出版社：北京 : 科学出版社, 2009

共振隧穿器件及其应用

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索取号：TN303/20094
作者：郭维廉、
出版社：北京 : 科学出版社, 2009

半导体薄膜技术与物理

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索取号：TN304.055/20091
作者：叶志镇、吕建国、吕斌、
出版社：杭州 : 浙江大学出版社, 2008

纳米半导体

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索取号：TN304/20092
作者：马洪磊、薛成山、
出版社：北京 : 国防工业出版社, 2009