大拱桥--暨南大学学生门户 » 图书馆 » TN304.1/.99 各种半导体材料(分类号：TN304.1)(共16本)

分类依据：可仿TN304.0分。例：硅外延薄膜的制作为TN304.105.5；资料分类为TN304.1+20.55。

硅半导体器件辐射效应及加固技术

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索取号：TN304.1/20141
作者：刘文平、
出版社：北京 : 科学出版社, 2013

多晶硅生产技术 : 项目化教程

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索取号：TN304.1/20131
作者：刘秀琼、唐正林、
出版社：北京 : 化学工业出版社, 2013

Thin-film silicon solar cells

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索取号：TN304.1/E20121
作者：
出版社：Lausanne : EPFL Press, c2010.

Monolithic silicas in separation science : concepts, syntheses, characterization, modeling and applications

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索取号：TN304.1/E20111
作者：
出版社：Weinheim : Wiley-VCH ; Chichester : John Wiley [distributor], 2010.

半导体锗材料与器件

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索取号：TN304.1/20102
作者：克莱、西蒙、屠海令、
出版社：北京 : 冶金工业出版社, 2010

硅材料检测技术

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索取号：TN304.1/20101
作者：康伟超、王丽、
出版社：北京 : 化学工业出版社, 2009

Defects in silicon : proceedings of Symposium B on Science and Technology of Defects in Silicon of the 1989 E-MRS Conference, Strasbourg, France, 30 May-2 June 1989

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索取号：TN304.1-53/E901/1989
作者：Symposium B on Science and Technology of Defects in Silicon (1989 : Strasbourg、 France)、Ammerlaan、 C. A. J. (Cornelis Antonius Josephus)、Chantre、 A.、Wagner、 P.、European Materials Research Society. Meeting (1989 : Strasbourg、 France)、
出版社：Amsterdam ; New York : North-Holland ; New York, NY, USA : Sole distributors for the USA and Canada, Elsevier Science Pub. Co., 1989.

Semiconductor silicon 1973

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索取号：TN304.1-53/E801/2
作者：International Symposium on Silicon Materials Science and Technology (2nd : 1973 : Chicago、 Ill.)、Huff、 Howard R.、Burgess、 Ronald R.、Electrochemical Society. Electronics Division.、Electrochemical Society. Electrothermics and Metallurgy Division.、
出版社：Princeton, N.J. : Electrochemical Society, c1973.

Fundamentals of silicon integrated device technology

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索取号：TN304.12/E701
作者：Burger、 R. M. (Robert M.)、 1927-、Donovan、 R. P.、
出版社：Englewood Cliffs, N.J., [1967-68].

Handbook of semiconductor silicon technology

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索取号：TN304.1-62/E991
作者：
出版社：Park Ridge, N.J. : Noyes Publications, c1990.

Semiconductor silicon 1990 : proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology

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索取号：TN304.1-53/E801/6
作者：International Symposium on Silicon Materials Science and Technology (6th : 1990 : Montréal、 Québec)、Huff、 Howard R.、Barraclough、 Keith G.、Chikawa、 J. (Junichi)、 1930-、Electrochemical Society. Electronics Division.、Electrochemical Society. Dielectrics and Insulation Division.、
出版社：Pennington, NJ : Electrochemical Society, c1990.

Semiconductor silicon 1977 : proceedings of the third International Symposium on Silicon Materials Science and Technology

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索取号：TN304.1-53/E801/3
作者：International Symposium on Silicon Materials Science and Technology (3rd : 1977 : Philadelphia、 Pa.)、Huff、 Howard R.、Sirtl、 Erhard.、Electrochemical Society. Electronics Division.、Electrochemical Society. Electrothermics and Metallurgy Division.、
出版社：Princeton, N.J. : Electronics and Electrothermics and Metallurgy Divisions, Electrochemical Society, c1977.

Boron: synthesis, structure, and properties : proceedings of the conference on Boron

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索取号：TN304.16-53/E701
作者：International Symposium on Boron (1st : 1959 : Asbury Park、 N.J.)、GauĺЕ、 G. K. (Gerhart K.)、Nye、 W. F. (William Frederick)、 1917-、Kohn、 J. A. (Jack Arnold)、 1925-、　Institute for Exploratory Research (U.S.)、
出版社：New York : Plenum Press, 1960.

Fundamental aspects of ultrathin dielectrics on Si-based devices

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索取号：TN304.1-532/E991
作者：
出版社：Dordrecht ; Boston : Kluwer Academic Publishers, c1998.

硅锗超晶格及低维量子结构

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索取号：TN304.1/20061
作者：盛箎、
出版社：上海 : 上海科学技术出版社, 2004

高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术

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索取号：TN304.1/861
作者：徐传骧、
出版社：北京 : 机械工业出版社, 1981 1985重印